功率及化合物半导体论坛

日期：2017年3月15-16日

地点：上海浦东嘉里大酒店，浦东大宴会厅4

地址：上海市浦东新区花木路1388号

现场提供中英文同声传译

从以硅为代表的第一代半导体开始，到以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体，再到以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）宽禁带材料为代表的第三代半导体，功率及化合物半导体对人类社会和科技影响越来越巨大，应用涵盖半导体照明、激光、显示、移动通讯、消费电子、绿色能源、现代交通等方方面面。

为响应产业需求，SEMI中国整合旗下资源，将于SEMICON China 2017 重磅推出“功率及化合物半导体论坛”，内容涵盖“LED及光电”、“宽禁带电力电子”、“化合物半导体及通讯”及“新型功率器件”四个主题版块。

功率及化合物半导体论坛2017（部分演讲嘉宾）

日程

Day1-2017年3月15日
*Session1: LED及光电（原LED China 论坛）

08:30-09:15

Registration 注册

Session 1 Moderator / 主持人:
Daniel Tracy
Senior Director of IRS, SEMI

09:15-09:20

Welcome Remark 欢迎致辞

Daniel Tracy

Senior Director of IRS, SEMI

09:20-09:50

Keynote Speech 主旨演讲
Min Wang 王敏
CEO, Lattice Power Corporation
晶能光电首席执行官

09:50-10:15
Gallium Nitride Lasers from a Manufacturing Perspective
从制造角度看氮化镓激光
Christian Schmid
Project Manager, Osram Opto Semiconductors
欧司朗光电半导体，前端技术项目经理

10:15-10:40
The Development of Next Generation PixeLED Display Technology
次世代显示技术PixeLED的发展
Charles LI 李允立
CEO, PlayNitride
錼創科技，首席执行官

10:40-11:05
Design and evaluation of optical lens for PSS AOI System
用于PSS AOI的光学镜头的设计及评估
Aris MA 马铁中
CEO, BeiOptics Technology Co. Ltd.
昂坤视觉（北京）科技有限公司，首席执行官

11:05-11:30
Recent progress and future prospects on Bulk AlN crystal growth for Deep UV-LED applications
深紫外LED氮化铝衬底单晶生长技术最新进展及未来面临的挑战
Liang WU 吴亮
Chief Engineer, GCL
协鑫，首席工程师

11:30-12:00
Market and Research Trends for High Efficiency GaN based LEDs
高效率氮化物LED芯片市场及技术发展趋势
Jiangbo Wang 王江波
Vice President, HC SemiTek Corporation
华灿光电股份有限公司，副总裁

12:00-13:30

Break 休息

*Session2:宽禁带半导体电力电子

Session 2 Moderator / 主持人:
David Xiao 肖国伟
CEO of APT Electronics, Co-Chair of SEMI China LED Advisory Committee
SEMI中国LED顾问委员会Co-Chair，广东晶科电子股份有限公司，CEO

13:30-14:00
GaN on Si – a truly revolutionary semiconductor technology matures
硅基氮化镓-一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术
Dr. Markus Behet
Chief Marketing Officer, EpiGaN

14:00-14:30
Further advances in GaN and SiC epitaxial production technologies for efficient power semiconductor devices
用于高效电力电子半导体器件的GaN和SiC外延生产技术的进一步发展
Dr. Frank Wischmeyer
Vice President Power Electronics, AIXTRON SE
德国爱思强股份有限公司，电力电子器件副总裁

14:30-15:00
Expectation for WBG power devices
对宽禁带功率器件的期望
Masakatsu Hoshi
Senior Engineer, Nissan Motor Co., Ltd
日产汽车，高级工程师

15:00-15:30
The application of high density ICP etch equipment in new power devices manufacture
高密度ICP刻蚀机在新型功率器件制造中的应用
Yang Meng 杨盟
Product Director and Deputy GM of Etch Product Division, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co., Ltd.
北京北方华创微电子装备有限公司，刻蚀事业部副总经理

15:30-16:00
Efforts towards GaN power FETs in Sinopower Semiconductor
华功半导体GaN功率电子器件的产业化进程
Yang Liu 刘扬
Vice president, SINOPOWER SEMICONDUCTOR CO.,LTD.
江苏华功半导体有限公司技术副总裁

16:00-16:30
Power & RF Electronics commercialization through MOCVD advancements from Single Wafer Reactor technology
单片MOCVD技术发展推动功率&微波电子器件的商业化
Somit Joshi
Sr. Director of Marketing in Veeco

16:30-17:00
GaN E-HEMT for the next era of power conversion
用于下一代电源转换的GaN E-HEMT
Charles Bailley
Senior Director, Asia, Sales, Mktg, & Apps, GaN Systems Inc.

Day2-2017年3月16日
*Session3: 化合物半导体及通讯

Session 3 Moderator / 主持人:
Naiqian Zhang 张乃千
President, Dynax Semicondutor, Inc.
苏州能讯高能半导体有限公司，总裁

09:25-09:30
Welcome Remark 欢迎致辞
Lung Chu 居龙
President of SEMI China
SEMI中国区总裁、SEMI全球副总裁

09:30-09:55
High volume 6”GaN/SiC HEMT technology for wireless communication applications
无线通讯用六寸氮化镓HEMT量产技术
Tim Yeh 叶念慈
Director, GaN TD Division, SANAN IC
三安集成电路，氮化镓技术开发处副总监

09:55-10:20
Development of high efficient and high reliable GaN RF Device for Mobile Application
应用于移动通讯的高效高可靠氮化镓射频器件开发
Yi Pei 裴轶
Director of Device Technology, Dynax Semiconductor
能讯高能半导体，器件技术总监

10:20-10:45
Pure Play GaN HEMT 0.45/0.25-um Technology Development for Wireless Application
稳懋半导体0.45/0.25 微米氮化鎵高速电子元件之发展
C.K. Lin 林正国
Director, WIN Semiconductors Corp.
稳懋半导体股份有限公司，总监

10:45-11:10
GaAs and GaN based device optimization by advanced epitaxial growth analysis
用于优化砷化镓、氮化镓器件的外延生长分析技术
Tom Thieme
Director Marketing and Sales, LayTec AG

11:10-11:35
SiGe BiCMOS Process Technologies for Wireless Applications
SiGe BiCMOS工艺技术的无线应用
Edward Preisler
Towerjazz

11:35-12:00
A Multipurpose Millimeter Wave High Power and Low Noise GaN/Si Process for High Frequency Transmit-Receive MMICs
LEBLANC Remy
Director, Product Development, OMMIC

12:00-13:30

Break 休息

13:30-14:00
GaN and Related Materials for RF and Power Electronics Applications
氮化镓和相关材料的射频和电力电子应用
Wayne Johnson
Vice President & Head of Power Business Unit, IQE

*Session4:新型功率器件

Session 4 Moderator / 主持人:
Jiye Yang 杨继业
Senior director, TD Integration Division I, HHGrace
华虹宏力集成一部总监

14:00-14:30
Device and packaging technologies for demanding high power applications
高功率应用对器件和封装技术的要求
Arnost Kopta
Head of BiMOS R&D, ABB Switzerland Ltd, Semiconductors

14:30-15:00
Status of Development and Mass Production for SiC Power Device
碳化硅功率器件的发展和大规模生产的现状
Hiroshi Kanazawa 金泽博
Marketing Unit Manager, Showa Denko K.K.
昭和电工

15:00-15:30
The Future of Power Devices and Implications for Semi Equipment
功率器件的未来和半导体制造设备的启示
Durga Chaturvedula
Managing Director, 200mm Product Mgmt. & Technology, Applied Materials

15:30-16:00
Demand,Status and Development Trend for Power Electronic Device
电力系统电力电子器件需求、现状及发展趋势
Yufeng Qiu 邱宇峰
Party group secretary, State Grid, Global Energy Interconnection Research Institute
全球能源互联网研究院，国家电网，党组书记

16:00-16:30
Thin Film Processes for Si, SiC and GaN Power Devices
硅、碳化硅和氮化镓功率器件的薄膜工艺
Hans Auer
Senior Product Marketing Manager, Evatec

16:30-17:00
Closing Keynote 闭幕演讲
Research of Power Semiconductor Devices with Novel Structures
新型结构晶体管及新一代功率芯片的研究
Pengfei Wang 王鹏飞
CTO, Oriental Semiconductor
东微半导体，首席技术官

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戚发鑫
首席分析师 | 产业研究与咨询部
项目总监 | 功率及化合物半导体产业
电话: 86-21-60278576
Email: fqi@semi.org

黄晓依
项目专员
电话：86-21-60278553
邮箱：shuang@semi.org