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2016年8月8日国务院正式印发的《“十三五”国家科技创新规划》中明确将发展先进功能材料技术 (重点包括第三代半导体材料、纳米材料、印刷显示与激光显示材料……) 以及新一代信息技术 (重点发展微电子和光电子技术，加强极低功耗芯片、新型传感器、第三代半导体芯片和硅基光电子等技术与器件的研发) 做为全国科研队伍下一阶段的工作方向。另一方面在实际工作中研发与投产的周期越来越短，参数提取、仿真与测量的难度都越来越高。

藉此机会，泰克携手微纳电子与集成系统协同创新中心将于2017年8月22~24日在北京举办研讨会，旨在加强全国各相关领域研究队伍的交流、提供学术界与产业界相互分享最新研究成果的机会，为下一阶段工作打下坚实的基础。

本次技术研讨会邀请参会人员：国内相关方向的高校、研究院所知名专家，项目负责人等。

演讲嘉宾

嘉宾介绍

蔡一茂 博士

北京大学微纳电子学研究院教授

2006年获得北京大学固体电子学与微电子学专业博士学位。2006~2009年在韩国三星电子存储器研发中心任高级研究员，从事先进Flash存储器架构和工艺研究。

2009年，加入北京大学微电子学研究院，先后任副教授，教授。研究领域为以RRAM为代表先进存储器、柔性电子器件、神经形态器件、集成及相关应用技术。在国内外专业期刊和会议上发表论文30余篇，获得中国发明专利授权30余项，美国专利授权10余项，部分成果已被中芯国际集成电路制造公司共享使用。

冯军宏 经理

中芯国际集成电路制造有限公司

目前负责14FF可靠性及电性测试。在中芯国际可靠性部门10年工作经历，曾负责了40G,28HK/PS等工艺可靠性研发工作及90nm,65nm及45nm的产品可靠性认证工作。100+国内国外专利。

高滨 助理教授 博导

清华大学微电子所

2008年获得北京大学物理学学士学位，2013年获得北京大学微电子学与固体电子学博士学位。分别于2010年和2012年赴新加坡南洋理工大学和美国斯坦福大学交流访问。目前主要从事新型非挥发存储器、新型非冯诺依曼计算架构的研究，尤其在阻变存储器和类脑计算方面取得多项创新成果。已发表学术论文100余篇，其中IEDM和VLSI共20篇，总引用超过2000次，个人H因子24。另有40余项中国发明专利和6项美国专利。曾于2012年获得IEEE EDS PhD Student Fellowship。

韩根全教授

西安电子科技大学微电子学院

韩根全,博士毕业清华大学，在中科院半导体研究所获得博士学位，微电子学院教授，优秀青年基金获得者，入选陕西省“百人计划”。从2008到2013年韩根全博士在新加坡国立大学Silicon Nano Device Laboratory (SNDL) 实验室从事高端CMOS器件研制。韩博士在高迁移率非硅材料CMOS器件、隧穿晶体管以及负电容晶体管器件研制方面取得了国际领先的研究成果，相关研究成果被Semiconductor Today等网站多次转载。韩根全博士发表论文100多篇，在IEEE顶级会议International Electron Devices Meeting (IEDM) 和VLSI Symposium on Technology (VLSI) 上发表多篇文章。

纪志罡 副教授

英国利物浦约翰摩尔斯大学

He received the B. Eng. degree in Electrical Engineering from Tsinghua University in 2003, the M. Eng degree in Microelectronics from Peking University in 2006 and the Ph.D. degree in Microelectronics from Liverpool John Moores University in 2010. He has authored or co-authored over 60 journal and conference papers covering the research on the degradation phenomena and reliability assessment of SiO2, SiON, high-k, and multiple-gate devices and characterization of Ge/III-V and MIM devices. His current research interests focuses on characterization, modeling and design techniques for reliable, low-power, and high-performance systems, motivated by both evolutionary and revolutionary advances in nanoelectronics.

靳磊研究员

中国科学院微电子研究所

靳磊，2002年毕业于清华大学电机系，2009年1月毕业于北京大学微电子学系，获理学博士学位。

长期从事半导体器件、参数测试分析相关的科研和产品研发。2005年~2008年于中芯国际(北京)集成电路制造有限公司参与65nm CMOS工艺技术研发，从事CMOS器件NBTI可靠性研究及工艺改进。2009~2013年，在新加坡思达科技有限公司从事半导体参数测试系统研发，率队开发的多项产品在TSMC等公司获得广泛应用。

2013年11月，加入中国科学院微电子研究所，获聘“百人计划”研究员，针对三维Flash存储器件开展新存储器件结构和表征方法研究。2014年10月进入武汉新芯集成电路制造有限公司(现长江存储科技股份有限公司)，从事三维存储产品研发，目前负责三维存储器件研发。

刘长泽 博士

华为海思半导体有限公司

Peking University in 2013. Then he joined the Quality and Reliability Team in Samsung Electronics, Korea, where he involved in the development of 14/10/7nm processes. In 2017 he joined the Design For Reliability team in Huawei Hisilicon. He has authored or coauthored over 30 scientific papers including IEEE IEDM, VLSI and IRPS. He also served as the committee member of IRPS, ISCAS as well as the reviewer of IEEE T-ED and EDL. His research interests now include the design for device, circuit and product level quality and reliability.

苏志强 博士

北京兆易创新科技股份有限公司 战略总监, 存心科技(北京)有限公司 总经理

从事Flash Memory包括NOR和NAND Flash产品设计开发十五年。2002年起历任Intel设计工程师，复旦微电子高级工程师，参与开发中国最早的NOR Flash产品。

2008年7月至今在北京兆易创新科技股份有限公司历任资深设计工程师、项目经理、设计部门经理、资深设计经理、战略总监，负责研发公司0.13um、90nm、65nm系列NOR Flash产品，38nm、24nm NAND Flash以及3D NAND技术研究。申请存储器领域发明专利120个以上，负责制定存储器领域国家行业标准一项，军民通用国家标准两项，任国家集成电路标准化委员会委员。

王润声副教授 博导

北京大学信息学院

近期主要研究方向：微纳电子新器件、可靠性与表征技术、电路-器件协同设计。已发表SCI/EI论文80余篇，其中包括40余篇专业顶级会议IEDM和顶级期刊IEEE TED/EDL论文。应邀作国际学术会议特邀报告10余次。获中国专利授权30余项、美国专利授权10余项。相关成果被列入国际半导体技术路线指南(ITRS)。获2013年美国IEEE电子器件青年科学家奖 (IEEE EDS Early Career Award) ， 是首位来自非美国机构的获奖者；获2014年教育部自然科学一等奖 (个人排名第2)；获2015年国家自然基金委优秀青年基金。任Nature旗下期刊Scientific Reports编委、《中国科学：信息科学》栏目编委；任IEEE IRPS等国际学术会议TPC委员。

吴燕庆教授

华中科技大学

Yanqing Wu is currently a Professor at the Huazhong University of Science and Technology Wuhan, Hubei, China. His research interests include graphene nanoelectronics; electronic devices on novel two-dimensional materials such as MoS2 and black phosphorus; high-frequency devices and circuits as well as high-power devices; He has published more than 80 papers in international journals and conferences.

赵毅教授博导

浙江大学

赵毅博士为“千人计划(青年项目)”入选者，浙江大学信息与电子工程学系教授，博士生导师。曾多年在(美国)IBM国际半导体研发联盟/ Globalfoundries公司， (日本) 东京大学从事先进集成电路器件与工艺方面的研究。近年来的研究主要集中在以下三个方面：1)高迁移率沟道(应变硅，锗，InGaAs等)CMOS器件与工艺；2)电子器件与工艺的可靠性物理及其表征技术；2)高介电常数(k)栅极介质。曾担任(日本)东京大学生产技术研究所特任助理教授和国家“973”计划项目课题负责人，被邀请在IEEE International Workshop on Junction Technology(IWJT，2013)，中国物理学会年会和中国功能材料及应用学术会议等会议上做邀请报告，并担任国际会议IEEE ICSICT (2016)、IEEE ASICON(2017)的程序委员会共同主席(Program Committee, Co-Chair)和IEEE IWJT(2014, 1016)执行委员会委员。

更多信息会在之后推出，敬请期待

会务组联系方式

联系人：李月婵

联系电话：15330044988

邮箱：china.mktg@tektronix.com

报名回执请于2017年8月8日前发邮件或联系销售人员/会务组报名

会议费用

· 住宿费及交通费自理，组委会可推荐住宿酒店

· 组委会免费提供会议日中餐，晚餐及会议资料

会议安排

时间：2017年8月22~24 日

会议地点：北京大学微纳电子大厦一楼报告厅

合作单位

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